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有两个参数可以调整器件从SPI Flash中加载的速度：

1. 在TD软件中修改Device Option中的加载模式为SPIx4；

2. 在TD软件中修改Properties->Generate Bitstream->Control Option中的mclk_freq_div参数，建议加载速度（mclk_freq_div）的选择最高到24M。

EF2系列最快加载时间12ms左右，EF3系列最快38ms，具体信息可参考各系列的《Flash启动加载时间测试》 文档。

具体修改流程，也可以参考易点通视频：

https://mp.weixin.qq.com/s/UZcdYi5dwEmE-HVkH3k1_A 

EF2S45，AL3S10，EG4S20，EG4D20都带有64M-128M的大容量存储器，具体细节请参考选型表和规格书。

可以，但PROGRAMN、INITN、DONE等信号的复用可能会导致重新加载等问题，不建议作为输入。但是可以作为输出管脚使用，并加上拉电阻。

安路器件的差分对可以通过ADC约束文件设置输出差分信号的，共模电压（VCM）和差模摆幅（VOD）,约束语句如下：

set_pin_assignment{clk_ref_m_fpga}{LOCATION=A3;IOSTANDARD=LVDS25;VCM=0.8;VOD=350m } 

参考文档《差分对的VCM和VOD设置指南》

需要mipi_io时，只需在代码中调用mipi_io这个模块，然后在ADC中将管脚约束真差分管脚的P端即可。参考文档《TN403_ELF2 MIPI接口用户指南 》。

EF2器件自带mipi_io，可直接支持mipi信号的接收、发送，其他器件也可以使用真差分管脚支持HS模式，配合普通IO支持LP模式。

是的，均可作为LVDS25 标准输入，最大输入频率为400 MHz(800Mbps)。

物理上是支持差分的P、N端都配置为单端输出，但如果对于输出时钟的相噪有较高要求，不建议输出混用，建议另一端电阻接地做屏蔽。