FAQ专区

首先要看IO类型，支持真差分的IO内部具有100欧姆匹配电阻，而伪差分IO内部没有匹配电阻。具体请参考各个器件的Datasheet。

备注1：真差分IO可配置使用内部匹配，也可以外部匹配。 

备注2：差分输入摆幅超过500mv，必须使用外部匹配电阻。

EF3可以参考TN609文档，EF2可以参考TR403文档 。

逻辑器件的功耗与资源使用率、时钟频率、环境温度等条件相关，建议使用TD软件的Tools->Power Estimator功耗评估工具进行评估。

有两个参数可以调整器件从SPI Flash中加载的速度：

1. 在TD软件中修改Device Option中的加载模式为SPIx4；

2. 在TD软件中修改Properties->Generate Bitstream->Control Option中的mclk_freq_div参数，建议加载速度（mclk_freq_div）的选择最高到24M。

EF2系列最快加载时间12ms左右，EF3系列最快38ms，具体信息可参考各系列的《Flash启动加载时间测试》 文档。

具体修改流程，也可以参考易点通视频：

https://mp.weixin.qq.com/s/UZcdYi5dwEmE-HVkH3k1_A 

EF2/EF3 系列可以支持，但是单电源VCCAUX供电电压要大于等于2.5V，EG4系列不支持单电源供电，需要1.2V的核电压。

EF2系列器件、EF3L15、EF3L25器件的一部分IO属于IOBB类型，使用建议如下：

1. 做输出时，驱动电流和SlewRate不可调节，建议输出信号线预留串阻。  

2. 做输入时，不建议接入时钟信号，尤其是上升沿较缓（20%~80%超过10ns）的时钟信号。如果是慢速变化的信号，可以接到IOBB，但建议逻辑用时钟采样一拍再使用。

GCLK IO只作用于输入时钟，而输出时钟使用普通IO即可。

有两个参数可以调整器件从SPI Flash中加载的速度：

1. 在TD软件中修改Device Option中的加载模式为SPIx4；

2. 在TD软件中修改Properties->Generate Bitstream->Control Option中的mclk_freq_div参数，建议加载速度（mclk_freq_div）的选择最高到24M。

EF2系列最快加载时间12ms左右，EF3系列最快38ms，具体信息可参考各系列的《Flash启动加载时间测试》 文档。

具体修改流程，也可以参考易点通视频：

https://mp.weixin.qq.com/s/UZcdYi5dwEmE-HVkH3k1_A 

推荐使用两级计数器生成内部复位信号，这样可以保证复位信号的宽度符合预期。推荐写法如下：

reg  [3:0]  rst_init_cnt;

wire       rst_init_n;

reg  [15:0] rst_temp ;

reg        SYS_RST_N;

always @(posedge clk)

begin

   if(rst_init_cnt <4'h8) 

    rst_init_cnt <= rst_init_cnt + 1;

   else 

    rst_init_cnt <= rst_init_cnt ;    

 end 

 assign rst_init_n = rst_init_cnt[3];

    always@(posedge clk or negedge rst_init_n) begin

     if (rst_init_n == 1'b0) 

      rst_temp <= 'd0;

     else if(rst_temp < 16’d50000)

      rst_temp <=rst_temp + 1'b1;

     else 

      rst_temp <=16’d50000;

    end   

    always @(posedge clk or negedge rst_init_n) begin

     if (rst_init_n == 1'b0) 

      SYS_RST_N <=1'b0; 

     else if(rst_temp>32'd5&&rst_temp < 16’d30000)

      SYS_RST_N <=1'b0;

     else 

      SYS_RST_N <=1'b1;

    End