如何调用CPLD内部Flash？
安路EF2、EF3系列器件中，合封了一块大容量SPI接口Flash，用于存储配置位流。位流未占用的部分，用户也可以读写访问。使用方法是在代码中例化一个原语引出SPI Flash的硬件接口，如EF2的原语如下：
module EF2_PHY_INTFLASH (
mosi_io0,
miso_io1,
wp_n_io2,
hold_n_io3,
cclk,
cs_n
);
inout mosi_io0; //PT6D
inout miso_io1; //PT23B
inout wp_n_io2; //PT20D
inout hold_n_io3; // PT9D
input cclk; //PT9B
input cs_n; //PT11D
endmodule
备注：通过原语访问SPI Flash，同时需要设置Properties->Generate Bitstream->Control Option中persist_bit=0。
EF2的MIPI_IO如何在ADC文件中约束？
需要mipi_io时，只需在代码中调用mipi_io这个模块，然后在ADC中将管脚约束真差分管脚的P端即可。参考文档《TN403_ELF2 MIPI接口用户指南 》。
安路CPLD可否提供内部时钟
EF2、EF3系列器件，内部集成了振荡器，可以输出时钟，中心频率约为266M，频率误差为30%。高精度场景不建议使用；
EF2、EF3系列最大功耗多少？
EF3可以参考TN609文档，EF2可以参考TR403文档 。
逻辑器件的功耗与资源使用率、时钟频率、环境温度等条件相关，建议使用TD软件的Tools->Power Estimator功耗评估工具进行评估。
EF2/ EF3系列产品加载时间最快多久？
有两个参数可以调整器件从SPI Flash中加载的速度：
1. 在TD软件中修改Device Option中的加载模式为SPIx4；
2. 在TD软件中修改Properties->Generate Bitstream->Control Option中的mclk_freq_div参数，建议加载速度（mclk_freq_div）的选择最高到24M。
EF2系列最快加载时间12ms左右，EF3系列最快38ms，具体信息可参考各系列的《Flash启动加载时间测试》 文档。
具体修改流程，也可以参考易点通视频：
https://mp.weixin.qq.com/s/UZcdYi5dwEmE-HVkH3k1_A
IOBB类型的IO需要注意什么
EF2系列器件、EF3L15、EF3L25器件的一部分IO属于IOBB类型，使用建议如下：
1. 做输出时，驱动电流和SlewRate不可调节，建议输出信号线预留串阻。
2. 做输入时，不建议接入时钟信号，尤其是上升沿较缓（20%~80%超过10ns）的时钟信号。如果是慢速变化的信号，可以接到IOBB，但建议逻辑用时钟采样一拍再使用。
如何提高CPLD加载速度
有两个参数可以调整器件从SPI Flash中加载的速度：
1. 在TD软件中修改Device Option中的加载模式为SPIx4；
2. 在TD软件中修改Properties->Generate Bitstream->Control Option中的mclk_freq_div参数，建议加载速度（mclk_freq_div）的选择最高到24M。
EF2系列最快加载时间12ms左右，EF3系列最快38ms，具体信息可参考各系列的《Flash启动加载时间测试》 文档。
具体修改流程，也可以参考易点通视频：
https://mp.weixin.qq.com/s/UZcdYi5dwEmE-HVkH3k1_A
安路CPLD的IO上下拉的阻值范围？
IO上下拉是通过电流源来模拟一个电阻，电流源的范围是35uA~250uA，典型值为100uA。上下拉电阻的阻值可以用V/I换算得到，例如VCCIO=3.3V：
– 阻值最小为3.3V/250uA=13.2K
– 阻值最大为3.3V/35uA=94.3K
– 阻值典型值为3.3V/100uA=33K
