如何调用CPLD内部Flash?
安路EF2、EF3系列器件中,合封了一块大容量SPI接口Flash,用于存储配置位流。位流未占用的部分,用户也可以读写访问。使用方法是在代码中例化一个原语引出SPI Flash的硬件接口,如EF2的原语如下:
module EF2_PHY_INTFLASH (
mosi_io0,
miso_io1,
wp_n_io2,
hold_n_io3,
cclk,
cs_n
);
inout mosi_io0; //PT6D
inout miso_io1; //PT23B
inout wp_n_io2; //PT20D
inout hold_n_io3; // PT9D
input cclk; //PT9B
input cs_n; //PT11D
endmodule
备注:通过原语访问SPI Flash,同时需要设置Properties->Generate Bitstream->Control Option中persist_bit=0。
EF2的MIPI_IO如何在ADC文件中约束?
需要mipi_io时,只需在代码中调用mipi_io这个模块,然后在ADC中将管脚约束真差分管脚的P端即可。参考文档《TN403_ELF2 MIPI接口用户指南 》。
安路CPLD可否提供内部时钟
EF2、EF3系列器件,内部集成了振荡器,可以输出时钟,中心频率约为266M,频率误差为30%。高精度场景不建议使用;
EF2、EF3系列最大功耗多少?
EF3可以参考TN609文档,EF2可以参考TR403文档 。
逻辑器件的功耗与资源使用率、时钟频率、环境温度等条件相关,建议使用TD软件的Tools->Power Estimator功耗评估工具进行评估。
EF2/ EF3系列产品加载时间最快多久?
有两个参数可以调整器件从SPI Flash中加载的速度:
1. 在TD软件中修改Device Option中的加载模式为SPIx4;
2. 在TD软件中修改Properties->Generate Bitstream->Control Option中的mclk_freq_div参数,建议加载速度(mclk_freq_div)的选择最高到24M。
EF2系列最快加载时间12ms左右,EF3系列最快38ms,具体信息可参考各系列的《Flash启动加载时间测试》 文档。
具体修改流程,也可以参考易点通视频:
https://mp.weixin.qq.com/s/UZcdYi5dwEmE-HVkH3k1_A
IOBB类型的IO需要注意什么
EF2系列器件、EF3L15、EF3L25器件的一部分IO属于IOBB类型,使用建议如下:
1. 做输出时,驱动电流和SlewRate不可调节,建议输出信号线预留串阻。
2. 做输入时,不建议接入时钟信号,尤其是上升沿较缓(20%~80%超过10ns)的时钟信号。如果是慢速变化的信号,可以接到IOBB,但建议逻辑用时钟采样一拍再使用。
如何提高CPLD加载速度
有两个参数可以调整器件从SPI Flash中加载的速度:
1. 在TD软件中修改Device Option中的加载模式为SPIx4;
2. 在TD软件中修改Properties->Generate Bitstream->Control Option中的mclk_freq_div参数,建议加载速度(mclk_freq_div)的选择最高到24M。
EF2系列最快加载时间12ms左右,EF3系列最快38ms,具体信息可参考各系列的《Flash启动加载时间测试》 文档。
具体修改流程,也可以参考易点通视频:
https://mp.weixin.qq.com/s/UZcdYi5dwEmE-HVkH3k1_A
安路CPLD的IO上下拉的阻值范围?
IO上下拉是通过电流源来模拟一个电阻,电流源的范围是35uA~250uA,典型值为100uA。上下拉电阻的阻值可以用V/I换算得到,例如VCCIO=3.3V:
– 阻值最小为3.3V/250uA=13.2K
– 阻值最大为3.3V/35uA=94.3K
– 阻值典型值为3.3V/100uA=33K